雖然低加速電壓有以上優(yōu)點(diǎn)，但是低加速電壓比高加速電壓的分辨率低，如雙束電鏡Helios G4 CX的電子束在1kV的分辨率是1.2 nm，而15kV分辨率為0.8 nm。應(yīng)用減速模式（Deceleration Mode）可在保持較高分辨率的同時(shí)又保持低電壓的優(yōu)勢，其原理如圖1所示，即在電子槍發(fā)射電子束時(shí)使用較高的加速電壓（Accelerating Voltage），出極靴后，電子束在樣品臺(tái)和極靴之間的減速電場（Stage Bias）的作用下被迫減速，使實(shí)際到達(dá)樣品的電壓（Landing Voltage）減小。這樣的電子束既保持了高加速電壓的分辨率，又實(shí)現(xiàn)了低加速電壓有效減少對(duì)樣品的損傷和荷電效應(yīng)的能力。雙束電鏡Helios G4 CX在減速模式下的Stage Bias的調(diào)節(jié)范圍為50~4000 V。圖2是應(yīng)用普通模式和減速模式所拍的聚苯乙烯小球的形貌，可以看出減速模式在消除荷電效應(yīng)的同時(shí)，還提高了分辨率。

　　雖然減速模式有上述優(yōu)點(diǎn)，但是其應(yīng)用有很多限制條件。由于減速場是加在樣品臺(tái)上的，因此樣品不能有大的凹凸起伏，最好是薄的（分散在導(dǎo)電膠帶或液體導(dǎo)電膠或硅片上的粉末樣品），樣品臺(tái)邊緣附近減速場不均勻，所以要將樣品放在樣品臺(tái)中間，開啟減速場之前，樣品臺(tái)不應(yīng)有傾轉(zhuǎn)角（Stage Tilt=0o），也不能插入EasyLift納米機(jī)械手或GIS-Pt，這些都會(huì)導(dǎo)致電場發(fā)生畸變，產(chǎn)生不可校正的圖像像差。開了減速場之后，也無法使用離子束成像或加工。